Materia i eksperyment

Zbadano nanokrystaliczny proszek GaN o ziarnach wielkosci 20 nm zsyntezowany z polimerów metaloorganicznych [25]. Nanokrysztay zostay poddane dziaaniu wysokiego cisnienia, do 20 GPa, w komórce diamentowej (Diamond Anvil Cell, DAC) w temperaturze pokojowej, rys.1.10. Dane dyfrakcyjne zebrano w geometrii z ustalonym katem detektora czuego na fotony o róznych energiach (energy dispersive), por. paragraf 1.6.1. Zewnetrzny nacisk by przenoszony na nanokrysztay GaN bez posrednictwa osrodka cisnieniowego (warunki niehydrostatyczne). Pomiar cisnienia odbywa sie poprzez badanie parametru sieci zota, dodanego w niewielkiej ilosci do próbek GaN.

Zaobserwowano zmiane wzglednych natezen linii dyfrakcyjnych poaczona z ich silna deformacja i podniesieniem poziomu ta, rys. 3.13. Wskazuje to na strukturalne przemiany w azotku galu w warunkach silnych naprezen.

Figure 3.13: Dyfraktogramy proszkowe tej samej próbki nanokrystalicznego GaN mierzone w warunkach normalnych w DAC: przed (linia przerywana) i po przyozeniu a nastepnie zdjeciu cisnienia 20 GPa.