Wprowadzenie

Relaksacja naprezen sieci krystalicznej w nanometrowych polikrysztaach azotku galu jest procesem, który jednoczesnie zmienia strukture i mikrostrukture tego materiau. W odróznieniu od materiaów supertwardych, takich jak weglik krzemu czy diament (por. [61,62]), nanokrysztay GaN ulegaja odksztaceniom plastycznym wobec stosunkowo niewielkichtypeset@protect @@footnote SF@gobble@opt Nanoproszek GaN sciskany w warunkach niehydrostatycznych ulega odksztaceniom plastycznym w cisnieniach rzedu pojedynczych GPa podczas gdy odksztacenia nanokrysztaów SiC i diamentu sa wyacznie elastyczne przynajmniej do cisnien rzedu 40 GPa (tyle wynosi najwieksze uzyskane przez nas cisnienie). si przykadanych do ich scian. Naprezenia sieci krystalicznej relaksuja wtedy poprzez ruch dyslokacji, poczatkowo wzduz paszczyzn (0001), gdyz te maja w strukturach heksagonalnych najmniejsza energie aktywacji. Przemieszczenia paszczyzn krystalicznych w tym kierunku zmieniaja sekwencje politypowa krystalitu (a wiec jego strukture) co stanowi mierzalny metodami dyfrakcyjnymi slad po caym procesie. Ponizej prezentujemy wyniki symulacji numerycznej wprowadzania bedów uozenia do struktury 2H. Dyfraktogramy obliczone metoda ab initio na poszczególnych jego etapach zostana porównane do danych doswiadczalnych zmierzonych dla GaN we wzrastajacych cisnieniach niehydrostatycznych (por. [63,64,65] oraz [66]).