Materia, eksperyment i analiza danych

Do pomiarów rentgenowskiego rozpraszania niskokatowego (SAXS) i ultraniskokatowego (USAXS) uzyto szesciu zestawów próbek nanokrystalicznych SiC (4) i diamentu (2). Kazdy z 6-ciu zestawów skada sie z szesciu próbek tego samego materiau zageszczonych w prasie izostatycznej w cisnieniach 0.03, 0.13, 0.22, 0.64, 0.96 i 6.3 GPa. Pierwszych piec cisnien otrzymano w prasie recznej, najwyzsze - w prasie hydraulicznej. Pomiary przeprowadzono na dwóch liniach synchrotronu DESY w Hamburgu. Na linii B1 (rozpraszanie niskokatowe, por. §1.6.2) zmierzono krzywe SAS w zakresie q $\in$ 0.03÷1Å^-1. Linia ultraniskokatowa BW4 umozliwia rozszerzenie zakresu mierzonego rozpraszania na q $\in$ 0.001÷0.03Å^-1. Na obu stacjach badawczych zainstalowane sa dwuwymiarowe detektory drutowe o rozdzielczosci 512×512 punktów i ukad do prowadzenia wiazki rozproszonej w prózni. Otrzymany z detektora dwuwymiarowy profil niskokatowy (rys. 3.9) zosta zintegrowany do jednowymiarowej krzywej.

Figure 3.9: Profile rozpraszania niskokatowego (a) luznego nanokrystalicznego proszku SiC (b) gestego, wysokocisnieniowego spieku SiC.

a)

b)