Azotek galu GaN

Stabilna faza krystalograficzna objetosciowych krysztaów GaN jest w warunkach normalnych struktura wurcytu, nazywana tez politypem 2H (rys. 1.2a). Wysokocisnieniowa modyfikacja GaN powyzej 50 GPa jest struktura soli kamiennej [22] (rys. 1.2b). Przy pomocy metod amonotermalnych (reakcja galu z amoniakiem w obecnosci soli amonu i odpowiedniej temperaturze) udao sie otrzymac GaN o strukturze czysto kubicznej [23,24], jednak standardowo mikrometrowe krysztay GaN rosna w strukturze 2H ze sporadycznie wystepujacymi bedami uozenia. Wraz ze zmniejszaniem rozmiaru ziarna, ponizej 20 - 30 nm obserwuje sie zwiekszanie liczby bedów uozenia w tej strukturze.

Figure 1.5: Zaglomerowane bloki nanokrystalicznego GaN.

Badany nanokrystaliczny azotek galu (rys. 1.5) zosta otrzymany z pirolizy polimerów imidku galu, $\left\{\vphantom{ Ga(NH)_{3/2}}\right.$Ga(NH)_3/2$\left.\vphantom{ Ga(NH)_{3/2}}\right\}_{{n}}^{}$ w temperaturach od 600 do 1100C [25].