Miniaturyzacja urządzeń elektronicznych wymusza opracowanie technologii produkcji przyrządów półprzewodnikowych o rozmiarach w skali atomowej działających na pojedynczych elektronach. Wymaga to wytworzenia struktur o rozmiarach rzędu pojedynczych nanometrów o stabilnej, ściśle określonej strukturze poziomów elektronowych. Nanostruktury krzemków metali przejściowych są jednym z głównych kandydatów do konstrukcji tranzystorów jednoelektrodowych. Uzyskanie pożądanej struktury elektronowej w tym wypadku można realizować poprzez: termiczną transformację stechiometryczną oraz zmniejszenie rozmiarów lateralnych wykorzystując kwantowy efekt rozmiarowy. Z punktu widzenia zastosowań materiałowych konieczne jest dokładne określenie mechanizmu wzrostu, oraz skorelowanych zmian własności fizycznych.
Dodatkowo opracować należy możliwości realizacji połączeń elektrycznych poprzez zastosowanie liniowych struktur przewodzących o zbliżonych rozmiarach  zbudowanych np. z łańcuchów atomowych  (nano-drutów). W tym wypadku poza fizykochemicznymi właściwościami samych związków pomocne jest odpowiednio sfunkcjonalizowane podłoże.
W komunikacie zaprezentujemy przykłady metody otrzymywania struktur krzemków metali (Co, Pt, Ti), oraz łańcuchów atomowych Dy na  podłożach półprzewodnikowych o określonych właściwościach elektronowych..

Praca naukowa częściowo finansowana ze środków budżetowych na naukę w latach 2010-2011 jako projekt badawczy nr N N202-169236

• Legal notice:
  

  Copyright (c) Pielaszek Research, all rights reserved.
  The above materials, including auxiliary resources, are subject to Publisher's copyright and the Author(s) intellectual rights. Without limiting Author(s) rights under respective Copyright Transfer Agreement, no part of the above documents may be reproduced without the express written permission of Pielaszek Research, the Publisher. Express permission from the Author(s) is required to use the above materials for academic purposes, such as lectures or scientific presentations.
  In every case, proper references including Author(s) name(s) and URL of this webpage: https://science24.com/paper/23269 must be provided.

1. Przełączniki molekularne
2. Growth of InSb Thin Films on GaAs(100) substates by Flash Evaporation Epitaxy